Прикладная лаборатория

Материалы, процессы и технологические результаты

Прикладная лаборатория функционирует в структуре компании с 2010 года. Она используется для демонстрационных процессов, углублённого тестирования установок и разработки базовых технологических маршрутов.

На этой странице собраны отдельные материалы по направлениям лаборатории: рост гетероструктур, нитриды III группы, СВЧ-применения, квантовые структуры, электронно-лучевое напыление и плазмохимические процессы.

Раздел на semiteq.ru Вернуться на главную
Прикладная лаборатория НТО
О Прикладной лаборатории

О лаборатории

О Прикладной лаборатории

Прикладная лаборатория функционирует в структуре компании с 2010 года. Она оснащена оборудованием АО «НТО», что позволяет проводить демонстрационные технологические процессы, а также подтверждать заявленные технические и технологические характеристики продукции.

Открыть страницу
Рост эпитаксиальных гетероструктур на основе GaAs на подложке Ø2’’

GaAs-гетероструктуры

Рост эпитаксиальных гетероструктур на основе GaAs на подложке Ø2’’

Уровень фонового легирования GaAs <1×10 14 cм -3

Открыть страницу
Особенности эпитаксиального роста нитридов III группы

Нитриды III группы

Особенности эпитаксиального роста нитридов III группы

Технологические результаты выращивания полупроводниковых гетероструктур на основе материалов A3N, получаемые на базе технологических платформ STE3N и STE35 .

Открыть страницу
Рост материалов A3B5 для СВЧ-электроники

Материалы A3B5 для СВЧ

Рост материалов A3B5 для СВЧ-электроники

Плотность овальных дефектов менее 50 см-2.

Открыть страницу
Рост лазерных гетероструктур на основе материалов A3B5/А2В6

Лазерные гетероструктуры

Рост лазерных гетероструктур на основе материалов A3B5/А2В6

Группа МЛЭ ФТИ им. Иоффе под руководством профессора С.В. Иванова с 2009 года проводит разработки на базедвухреакторного комплекса STE3526 :

Открыть страницу
Рост материалов A3B5 для интеграции в схемы квантовых вычислений

Материалы для квантовых схем

Рост материалов A3B5 для интеграции в схемы квантовых вычислений

Исследованы характеристики одиночных фотонов, излучаемых столбчатыми микроструктурами, изготовленными на основе эпитаксиальных микрорезонаторных гетероструктур с распределенными брэгговскими отражателями, включающих самоорганизованные квантовые точки InAs/GaAs.

Открыть страницу
Многоуровневая металлизация с использованием установок физического осаждения

Многоуровневая металлизация

Многоуровневая металлизация с использованием установок физического осаждения

Материалы прикладной лаборатории АО «НТО» / SemiTEq.

Открыть страницу
STE EB71: Параметры электронно-лучевого напыления

STE EB71

STE EB71: Параметры электронно-лучевого напыления

Установка STE EB71 позволяет проводить электронно-лучевое напыление высококачественных тонкопленочных композиций в сверхвысоком вакууме.

Открыть страницу
STE ICP: Плазмохимическое травление и осаждение

STE ICP

STE ICP: Плазмохимическое травление и осаждение

Универсальная технологическая платформа STE ICP200 обеспечивает реализацию широкого спектра процессов плазмохимического травления и осаждения в емкостной, индуктивно-связанной и комбинированной плазме.

Открыть страницу