Материалы, процессы и технологические результаты

Прикладная лаборатория функционирует в структуре компании с 2010 года. Она используется для демонстрационных процессов, углублённого тестирования установок и разработки базовых технологических маршрутов.

На этой странице собраны отдельные материалы по направлениям лаборатории: рост гетероструктур, нитриды III группы, СВЧ-применения, квантовые структуры, электронно-лучевое напыление и плазмохимические процессы.

Прикладная лаборатория НТО
О Прикладной лаборатории

О Прикладной лаборатории

Прикладная лаборатория функционирует в структуре компании с 2010 года. Она оснащена оборудованием АО «НТО», что позволяет проводить демонстрационные технологические процессы, а также подтверждать заявленные технические и технологические характеристики продукции.

Открыть страницу
Рост эпитаксиальных гетероструктур на основе GaAs на подложке Ø2’’

Рост эпитаксиальных гетероструктур на основе GaAs на подложке Ø2’’

Уровень фонового легирования GaAs <1×10 14 cм -3

Открыть страницу
Особенности эпитаксиального роста нитридов III группы

Особенности эпитаксиального роста нитридов III группы

Технологические результаты выращивания полупроводниковых гетероструктур на основе материалов A3N, получаемые на базе технологических платформ STE3N и STE35 .

Открыть страницу
Рост материалов A3B5 для СВЧ-электроники

Рост материалов A3B5 для СВЧ-электроники

Плотность овальных дефектов менее 50 см-2.

Открыть страницу
Рост лазерных гетероструктур на основе материалов A3B5/А2В6

Рост лазерных гетероструктур на основе материалов A3B5/А2В6

Группа МЛЭ ФТИ им. Иоффе под руководством профессора С.В. Иванова с 2009 года проводит разработки на базедвухреакторного комплекса STE3526 :

Открыть страницу
Рост материалов A3B5 для интеграции в схемы квантовых вычислений

Рост материалов A3B5 для интеграции в схемы квантовых вычислений

Исследованы характеристики одиночных фотонов, излучаемых столбчатыми микроструктурами, изготовленными на основе эпитаксиальных микрорезонаторных гетероструктур с распределенными брэгговскими отражателями, включающих самоорганизованные квантовые точки InAs/GaAs.

Открыть страницу
Многоуровневая металлизация с использованием установок физического осаждения

Многоуровневая металлизация с использованием установок физического осаждения

Материалы прикладной лаборатории АО «НТО» / SemiTEq.

Открыть страницу
STE EB71: Параметры электронно-лучевого напыления

STE EB71: Параметры электронно-лучевого напыления

Установка STE EB71 позволяет проводить электронно-лучевое напыление высококачественных тонкопленочных композиций в сверхвысоком вакууме.

Открыть страницу
STE ICP: Плазмохимическое травление и осаждение

STE ICP: Плазмохимическое травление и осаждение

Универсальная технологическая платформа STE ICP200 обеспечивает реализацию широкого спектра процессов плазмохимического травления и осаждения в емкостной, индуктивно-связанной и комбинированной плазме.

Открыть страницу