GaAs-гетероструктуры
Рост эпитаксиальных гетероструктур на основе GaAs на подложке Ø2’’
Уровень фонового легирования GaAs <1×10 14 cм -3
Данные по однородности выращиваемых слоёв
Технологические результаты выращивания полупроводниковых гетероструктур на основе GaAs на подложке Ø2’’, полученные на универсальной компактной установке молекулярно-лучевой эпитаксии STE75 .
Материалы и результаты
Описание, изображения и параметры
Ниже размещён переработанный материал с semiteq.ru с сохранением технологической сути и визуальных данных.
Уровень фонового легирования GaAs <1×1014 cм-3
Данные по однородности выращиваемых слоёв
Технологические результаты выращивания полупроводниковых гетероструктур на основе GaAs на подложке Ø2’’, полученные на универсальной компактной установке молекулярно-лучевой эпитаксии STE75.
Результаты измерения толщины слоев AlAs (a) и GaAs (б) в сверхрешетке GaAs/AlAs 34,3/100 нм методом рентгеновской дифракции на подложке Ø2” (отклонение от значения в центре в %):
Результаты измерения содержания Al (a) и толщины (б) слоя AlGaAs 450 нм методом рентгеновской дифракции на подложке Ø2” (отклонение от значения в центре в %):
Галерея
Изображения по теме
