Рост материалов A3B5 для интеграции в схемы квантовых вычислений

Исследованы характеристики одиночных фотонов, излучаемых столбчатыми микроструктурами, изготовленными на основе эпитаксиальных микрорезонаторных гетероструктур с распределенными брэгговскими отражателями, включающих самоорганизованные квантовые точки InAs/GaAs.

Продемонстрирован источник неразличимых одиночных фотонов на основе эпитаксиальных InAs/GaAs квантовых точек для интеграции в схемы квантовых вычислений.

Спектр отражения микрорезонаторной гетероструктуры с распределенными брэгговскими отражателями при 77 К. Микрорезонаторная гетероструктура выращена в реакторе А3В5 комплекса МЛЭ STE3526. На вставке: изображение центральной части образца, полученное на растровом электронном микроскопе. [1]

SEM-изображения: (a) – одного столбчатого микрорезонатора и (b) – регулярного массива таких микрорезонаторов. Столбчатые микрорезонаторы сформированы при помощи установки плазмохимического травления STE ICP200E.

[1] Galimov A. I. et al. Source of indistinguishable single photons based on epitaxial InAs/GaAs quantum dots for integration in quantum computing schemes //JETP Letters. – 2021. – Т. 113. – №. 4. – С. 252-258.