STE ICP
STE ICP: Плазмохимическое травление и осаждение
Универсальная технологическая платформа STE ICP200 обеспечивает реализацию широкого спектра процессов плазмохимического травления и осаждения в емкостной, индуктивно-связанной и комбинированной плазме.
• Рабочая среда: SF 6 /Ar/O 2
• Индуктивно-связанная плазма (ICP) + емкостная плазма
Материалы и результаты
Описание, изображения и параметры
Ниже размещён переработанный материал с semiteq.ru с сохранением технологической сути и визуальных данных.
Универсальная технологическая платформа STE ICP200 обеспечивает реализацию широкого спектра процессов плазмохимического травления и осаждения в емкостной, индуктивно-связанной и комбинированной плазме.
Глубокое травление SiC
• Рабочая среда: SF6/Ar/O2
• Индуктивно-связанная плазма (ICP) + емкостная плазма
• Применяемая маска: Cr, Ni
• Скорость травления SiC: 1 мкм/мин
• Селективноть по маске: 50:1
Травление многослойных структур InGaAs/ AlGaAs
Анизотропное травление кремния (Bosch-процесс, low scallop)
Травление GaAs/AlGaAs структур
Плазмохимическое травление InAs
Плазмохимическое травление InP
Глубокое травление GaAs
Плазмохимическое травление Si3N4
Интерферометрический контроль скорости и глубины/ толщины плазмохимических процессов травления и осаждения
Галерея
Изображения по теме
