Материалы A3B5 для СВЧ
Рост материалов A3B5 для СВЧ-электроники
Плотность овальных дефектов менее 50 см-2.
Вольт-фарадная характеристика GaAs-MESFET-структуры
Карта измерений слоевого сопротивления MESFET-структуры,выращенной на подложке Ø4”
Материалы и результаты
Описание, изображения и параметры
Ниже размещён переработанный материал с semiteq.ru с сохранением технологической сути и визуальных данных.
Плотность овальных дефектов менее 50 см-2.
Вольт-фарадная характеристика GaAs-MESFET-структуры
Карта измерений слоевого сопротивления MESFET-структуры,выращенной на подложке Ø4”
Галерея
Изображения по теме
